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    銅膜的成膜方法

    放大字體  縮小字體 發(fā)布日期:2009-04-27   作者:佚名
    銅之家訊:申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào): 200580000371本發(fā)明提供一種成膜方法,利用反復(fù)進(jìn)行下述工序的ALD(Atomic  Layer ?。模澹穑铮螅椋簦椋铮睿┓?,在基板上形成Cu膜:將蒸汽壓高,對(duì)襯底濕潤(rùn)性好

    申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào): 200580000371 本發(fā)明提供一種成膜方法,利用反復(fù)進(jìn)行下述工序的ALD(Atomic ?。蹋幔澹颉 。模澹穑铮螅椋簦椋铮睿┓?,在基板上形成Cu膜:將蒸汽壓高,對(duì)襯底濕潤(rùn)性好的Cu羧酸絡(luò)合物或其衍生物氣化,作為原料氣體使用,且使用H↓[2]作為還原氣體,使原料氣體吸附在基板上的工序;和利用還原氣體還原吸附的原料氣體,形成Cu膜的工序。由此可形成保形(conformal)良好膜質(zhì)的Cu薄膜。

    申請(qǐng)日: 2005年02月25日
    公開日: 2006年08月30日
    授權(quán)公告日:
    申請(qǐng)人/專利權(quán)人: 東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社
    申請(qǐng)人地址: 日本東京
    發(fā)明設(shè)計(jì)人: 小島康彥;吉井直樹
    專利代理機(jī)構(gòu): 北京紀(jì)凱知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
    代理人: 龍淳
    專利類型: 發(fā)明專利
    分類號(hào): C23C16/18;H01L21/285

    以上信息僅供參考

     
     
     
     

     

     
     
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